 | • レポートコード：MRC-CR19216 • 発行年月：2025年02月 • レポート形態：英文PDF • 納品方法：Eメール（納期：2～3日） • 産業分類：電子＆半導体 |
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レポート概要
| GaN電界効果トランジスタの世界市場レポート（Global GaN Field-Effect Transistors Market）では、セグメント別市場規模、主要地域と国別市場規模、国内外の主要プレーヤーの動向と市場シェア、販売チャネルなどの項目について詳細な分析を行いました。
最新の調査によると、GaN電界効果トランジスタの世界市場規模は、2024年のxxx百万ドルから2025年にはxxx百万ドルとなり、2024年から2025年の間にxx％の変化があると推定されています。GaN電界効果トランジスタの世界市場規模は、今後5年間でxx％の年率で成長すると予測されています。 地域・国別分析では、北米、アメリカ、カナダ、メキシコ、ヨーロッパ、ドイツ、イギリス、フランス、ロシア、アジア太平洋、日本、中国、インド、韓国、東南アジア、南米、中東、アフリカなどを対象にして、GaN電界効果トランジスタの市場規模を算出しました。 GaN電界効果トランジスタ市場は、種類別には、HFET、MODFET、その他に、用途別には、家電、自動車、通信、充電機器、その他に区分してグローバルと主要地域における2020年～2030年の市場規模を調査・予測しました。 当レポートに含まれる主要企業は、Texas Instruments、Infineon Technologies、Nexperia、…などがあり、各企業のGaN電界効果トランジスタ販売量、売上、価格、市場シェアなどを分析しました。 グローバルにおけるGaN電界効果トランジスタ市場で新ビジネス創出や売上拡大に挑むクライアント様が、成長トレンドを取り込み、課題を解決する際に必ず役立つ一冊となっておりますので是非ご活用ください。 【目次】 GaN電界効果トランジスタ市場の概要（Global GaN Field-Effect Transistors Market） 主要企業の動向 GaN電界効果トランジスタの世界市場（2020年～2030年） GaN電界効果トランジスタの地域別市場分析 GaN電界効果トランジスタの北米市場（2020年～2030年） GaN電界効果トランジスタのヨーロッパ市場（2020年～2030年） GaN電界効果トランジスタのアジア市場（2020年～2030年） GaN電界効果トランジスタの南米市場（2020年～2030年） GaN電界効果トランジスタの中東・アフリカ市場（2020年～2030年） GaN電界効果トランジスタの販売チャネル分析 調査の結論 |
※弊社ではGaN電界効果トランジスタの中国市場レポートも取り扱っています。
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【中国のGaN電界効果トランジスタ市場レポート（資料コード：MRC-CR19216-CN）】
本調査資料は中国のGaN電界効果トランジスタ市場について調査・分析し、市場概要、市場動向、市場規模、市場予測、市場シェア、企業情報などを掲載しています。中国における種類別（HFET、MODFET、その他）市場規模と用途別（家電、自動車、通信、充電機器、その他）市場規模データも含まれています。GaN電界効果トランジスタの中国市場レポートは2025年英語版で、一部カスタマイズも可能です。 ・中国のGaN電界効果トランジスタ市場概要 |